发布时间：2024-05-06 来源：网络
铜的化学机械抛光已经成为现代集成电路制造行业中发展最为迅速的工艺,在集成电路芯片制造的过程中它可以满足各种不同薄膜的平坦化要求.尽管铜化学机械抛光工艺的（略）,但是相对来说它的理论基础研究还并不完善,尤其是硅片抛光液和抛光垫之间的相互作用关系,新的化学机械抛光工艺必然会有新的更复杂的化学剂配方加入.总之,对于下一代化学机械抛光工艺的发展（略）光液的基本原理以及进行改善是非常关键的. 抛光液的优劣主要有抛光率,平坦性以及缺陷的数量等几个参数反应.为了获得更加平坦的表面在抛光之前必须形成钝化层然后进行抛光,使用的化学（略）氧化氢(H2O2)等作为氧化剂来形成这个表面钝化层,其他的化学添加剂作为抑制剂或配位剂也会加入抛光液对氧化层进行调节..............共56页
采用多种方法来制备铈基抛光粉，以期提高它们的抛光性能和方法的经济可行性。以大颗粒水合丙酸铈结晶为前驱体，通过简单的煅烧来合成纳米级氧化铈。研究了煅烧温度对合成产物物理性能的影响。结果表明：在丙酸铈热分解过程中，大晶体先解理成条块状，再断裂成更小的纳米氧化铈。用激光散射法测得的中位粒径先减小而后又增大，在1000℃时呈最小值，为460nm。XRD、SEM和TEM的观察结果表明：在该温度下煅烧得到了一次粒子为20-30nm的立方萤石型氧化铈；它们对冕玻璃(K9)和火石玻璃(F1)的抛光速率随煅烧温度的升高在1000℃呈极大值，与粒度变化的最小值，研究了各种浆料对光学玻璃和硅芯片的抛光速率。结果发现：抛光速率与CeO2浆料的悬浮稳定成正比关系..............共108页
随着先进电子技术的飞速发展，对产品加工精度和表面质量的要求越来越高。化学机械抛光(简称CMP)技术几乎是迄今唯一可以提供全局平面化的表面精加工技术，可广泛用于集成电路芯片、计算机硬磁盘、微型机械系统(MEMS)、光学玻璃等表面的平整化。化学机械抛光液是CMP中关键的要素，而磨粒是化学机械抛光液中关键成分之一，其性能直接影响抛光后材料的表面质量。超细氧化铝是CMP常用磨粒，由于其易团聚与硬度大，抛光过程中易引起划痕，为此用化学接枝改性方法对超细氧化铝进行了表面改性，使丙烯酰胺在硅烷偶联剂处..............共62页
运用电化学方法，以溶液化学、腐蚀电化学原理、摩擦磨损原理、流体力学边界层等相关理论为指导，采用旋转圆盘电极，系统研究和探讨了n(100)、n(111)、p(100)、p(111)半导体硅片在纳米SiO2抛光浆料中的成膜行为、CMP中的电化学行为、抛光速率与CMP过程机理等。研究的内容与获得的主要结论如下：运用电化学直流极化和交流阻抗技术，研究了半导体硅片在纳米SiO2抛光浆料中的腐蚀行为，探讨了pn值、SiO2固含量、成膜时间和双氧水浓度等因素对成膜性质的影响。结果表明，pH值严重影响硅片的成膜，pH值为10.5时的钝化膜最厚，电化学阻抗图谱(EIS)测试结果显示，钝化膜厚度大约为5.989A；SiO2固含量对硅片的腐蚀成膜没有影响；双..............共78页
随着集成电路(IC)产业的飞速发展，IC特征尺寸不断缩小，硅片尺寸不断增大，IC工艺变得越来越复杂和精细。这对芯片内部层间介质的表面质量提出了更高的要求，要求介质层表面必须进行全局平坦化，而传统的抛光工艺已不能满足要求。化学机械抛光(CMP)是目前唯一能够实现芯片全局平面化的实用技术和核心技术，正广泛地应用于IC制造中。然而，由于其工艺的复杂性，人们对CMP机理以与抛光液的作用仍缺乏深入的认识，许多方面还需要进行深入地研究。冰球突破官方入口在CMP过程中，抛光液对被加工表面具有化学腐蚀和机械研磨的..............共65页
根据超精密加工机床设计要求，提出了双面抛光机总体设计方案，在分析精密双面抛光机的控制要求与设计方案的基础上，研制了超精密双面抛光机的控制系统，详细介绍了实现该机控制的各部分硬件系统、自动加工控制流程和人机交互的控制界面，并对研制的设备进行了运行与检测。通过研究晶片、抛光垫与行星轮三者之间的运动关系，建立了行星式双面抛光运动轨迹数学模型，利用MATLAB软件分析了不同位置、不同抛光盘转速、不同转速比下的相对运动轨迹状态与对抛光质量的影响，然后根据研究抛光盘上的任一点相对工件运动轨迹密度分布均匀来建立抛光均..............共72页
化学机械抛光是实现全局平坦化最关键的技术，是机械作用与化学作用平衡的作用的结果，抛光液中微观粒子的研磨作用以及抛光液的化学腐蚀作用在被研磨的介质表面上形成光洁平坦的表面。集成电路进入大规模化时代，器件的尺寸越来越小，布线层数越来越多，使得金属线宽变窄，导致了金属连线的电阻率增大与电路的RC延迟增大，制约了集成电路的性能。由于铜比铝具有更好的性能，所以现在的金属布线由铝转向了铜。越来越多的实验开始研究铜的化学机械抛光。分为四部分。第一部分是前言，这部分主要介绍化学机械抛光的一些基本概念及其发展、应用，也介绍了抛光中的抛光液的组成及其影响因素等。第二章主要介绍了抛光液中几种添加剂以及一些基础实验..............共55页
采用一种化学机械抛光方法对CVD金刚石膜的抛光进行了研究,主要的研究内容和结论如下:(1)根据氧化还原电位选择10种氧化剂进行了抛光试验,研究了不同氧化剂对金刚石膜的材料去除率和表面粗糙度Ra的影响。根据试验结果,优选出了高锰酸钾作为抛光液的氧化剂。2)选用硫酸、磷酸、三氯化铁等化学试剂作为添加剂进行了抛光对比试验,选择了材料去除率及表面粗糙度Ra均比较好的磷酸作为抛光液的添加剂。通过对磷酸的浓度进行优选,发现当磷酸的浓度为磷酸:去离子水=115ml:35ml时抛光效果最佳。 (3)在确定了氧化剂和添加剂的基础上,对磨料的硬度、粒径进行了优选,试验结果表明:在粗加工时,采用粒径10μm的金刚石作为磨料,精加工时采用粒径2μm的碳化硼磨料可以获得最佳的效果..............共63页
采用逐渐释放沉淀剂的沉淀法对CeO2超细抛光粉的制备工艺进行了研究，实验过程解决了两方面的问题：其一是CeO2超细粉体的制备；其二是CeO2超细粉体的表征。通过实验，确定了用“氨水+草酸”作沉淀剂制备氧化铈超细抛光粉的最佳工艺条件：分散剂用聚乙二醇，反应物浓度为0.15～0.2mol/L，沉淀剂氨水浓度为2mol/L、草酸浓度为100g/L，pH值具体如下：沉淀剂氨水滴到终点为8～9；沉淀剂草酸滴到终点为2～3，沉淀温度为70～80℃，焙烧温度为650℃。研究了pH值对Ce(OH)4水分散体系Zeta电位的影响，当pH约为7时，体系的Zeta电位为0，也就是体系的等电点(I.E.P)为7，当pH等于9时，Zeta电位达最大值-35.5mV；同时也测试了pH对“NH3+C2O42-”水分散体系Zeta电位的影响，当pH约..............共53页
介绍国内外氧化铈的资源状况及应用现状。铈的电子结构为[Xe]4f15d16s2，当失去5d16s2电子时表现为三价，4f轨道上的一个电子失去时形成较稳定的全空轨道而表现为四价。结合其特有的化学性质，提出了盐酸二步浸取法从氟碳铈矿中分离铈的工艺，冰球突破官方入口然后利用分离的铈制备氧化铈粉体。本文主要的研究内容有：⒈氟碳铈矿加碳酸钠焙烧的动力学研究。传统的硫酸焙烧分解氟碳铈矿的工艺由于大量排放氟化氢气体，严重污染环境；采用碳酸钠脱氟焙烧工艺可以大大降低氟化氢的排放。氟碳铈矿加碳酸钠焙烧，是一个典型的固相之间的反应，实验采用热重分析法研究了..............共66页
制备一种新型精密抛光材料，它是在聚酰亚胺中添加磨粒而制成，它可用于金属、玻璃、珠宝、光学镜片以及光纤等的抛光。基于上述意图，本实验制备了氧化铝/聚酰亚胺复合抛光薄膜和金刚砂/聚酰亚胺复合抛光薄膜，对这种聚酰亚胺抛光薄膜的制备程序中需要注意的问题做了总结，并且通过红外光谱，扫描电子显微镜，热重分析仪，万能材料试验机对这两种薄膜的性能做了研究。所得结果如下：⒈复合薄膜的红外光谱显示，聚酰亚胺和磨粒的混合是物理混合，二者并没有发生化学反应；⒉从薄膜的表面及侧面的SEM图上看出，这是一种双层成膜型磨片，一层是纯聚酰亚胺，另外一层是磨粒嵌入聚酰亚胺中，且在磨粒层的表面上看到磨粒均匀地分布在聚酰亚胺中；⒊氧化铝/聚酰亚胺薄膜和金刚砂/聚酰..............共70页
铈基抛光粉是一种优秀的抛光材料,它以其独特的抛光性能及质量,广泛的应用于光学玻璃、电子产品等高科技领域。铈基抛光粉的抛光性能是由于其特殊的物理化学性质决定的,而如何制备出性能优异的抛光粉,已经成为一项热门的研究课题。冰球突破官方入口本课题从晶型稀土碳酸盐的制备过程开始研究,选择适当的沉淀条件制备出晶形较完整、大小适中、分布均匀的晶型碳酸铈沉淀。并使用两种加氟方式——氟化铵法和硅氟酸法制备出不同的含氟稀土碳酸盐,并使用SEM及XRD对沉淀产物的晶形、尺寸及物相的进行分析对比,得出使用氟化铵法制备出的含氟碳酸盐物相较为单一、且晶形较好。 在稀土碳酸盐的焙烧过程部分,首先研究了碳酸铈的分解、结晶、长大及冷却过程。然后对碳酸铈 ..............共51页
